半导体器件氧化层缺陷数据库
Defect Database of Semiconductor Oxides
氧化层是半导体器件的核心组成部分,是先进集成电路制造的关键技术。氧化层中缺陷的微观性质是影响半导体器件性能调控和可靠性退化的关键因素。本数据库通过大规模高通量计算探索常见半导体器件中氧化层电缺陷物理性质的“基因谱”,为微电子氧化层缺陷的精确测量和表征提供支持。
Database Statistics
形成能(Formation Energy):
16180
弛豫能(Relaxation Energy):
12015
转变能级(Transition Level):
16180
激活能(Activation Energy):
12015
缺陷结构(Defect Structure):
1525
实验数据上传
缺陷种类
V
A
:A空位 (A vacancy)
A
i
: A间隙 (A interstitial)
A
B
:A反位 (A antisite)
选择材料
HfO2
SiO2
Ta2O5
ZrO2
选择缺陷种类
选择具体缺陷种类
搜索
缺陷转变能级
选择材料
HfO2
SiO2
Ta2O5
ZrO2
选择参考点
材料的VBM
硅的VBM
搜索
缺陷弛豫能
选择材料
HfO2
SiO2
Ta2O5
ZrO2
搜索
转变能级
激活能
统计分布
国家自然科学基金委员会
北京大学
中国科学院半导体研究所